

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер публикации патента: 2372689

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2007122051/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L021/44
Аналоги изобретения:	US 5391519 А, 21.02.1995. SU 1225426 A1, 27.03.1996. SU 1019965 A1, 30.05.1991. EP 0235682 A2, 09.09.1987. JP 1147464 A, 09.06.1989. JP 1272379 A, 02.12.1986.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)
Изобретатели:	Мустафаев Абдулла Гасанович (RU) Мустафаев Гасан Абакарович (RU) Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU)

Реферат

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем последовательное формирование активных областей полупроводникового прибора, диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки, сформированную полупроводниковую структуру обрабатывают фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 10¹¹-10¹² см^-2 c^-1 с последующим термостабилизирующим отжимом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с. 1 табл.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"