Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Берковиц Владимир Леонидович (RU) Куницына Екатерина Вадимовна (RU) Львова Татьяна Викторовна (RU) Улин Владимир Петрович (RU) Яковлев Юрий Павлович (RU) Андреев Игорь Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия. Сущность изобретения: для осуществления способа получения нитридной пленки получают гетероструктуру на основе GaSb эпитаксиальным выращиванием на подложке n-типа GaSb слоя твердого раствора GalnAsSb n-типа, согласованного по параметру решетки с подложкой, и слоя GalnAsSb р-типа. Затем создают методом фотолитографии мезаструктуры и наносят нитридную пленку на боковую поверхность получаемой мезаструктуры. Для этого погружают мезаструктуру в щелочной водный раствор гидразина N2H4 концентрацией 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л. Изобретение обеспечивает получение многослойной нитридной пленки, когерентной к боковой поверхности гетероструктуры при сохранении исходного микрорельефа этой поверхности. 6 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента