Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. Под редакцией Л.А.Коледова. - М.: Радио и связь, 1989, с.400. SU 937028 А, 28.06.1982. SU 890997 А, 15.12.1981. SU 451217 А, 07.05.1975. US 5773082 А, 30.06.1998. JP 8194316 А, 30.07.1996. JP 61111382 А, 22.04.1994. JP 5021330 А, 29.01.1993.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии. Техническим результатом изобретения является получение равномерного распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений. Сущность изобретения: в способе нанесения фоторезистивного слоя на подложку проводят предварительную обработку подложек в ИК - сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 минуты, нанесение фоторезистивного слоя осуществляют методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика VI=950±50 об/мин, VII=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста толщиной - Ф/С=1,3±0,1 мкм, при этом разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.
Поиск патентов
Получить полное описание патента