RU 2037911 С1, 19.06.1995. SU 1515115 A1, 15.10.1989. SU 1694018 A1, 30.10.1994. SU 1744736 A1, 30.06.1992. US 5789931 A, 04.08.1998.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет (RU)
Изобретатели:
Корнилович Александр Антонович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых наноструктур. Сущность изобретения: в способе бесконтактного определения квантованного холловского сопротивления полупроводников, включающем охлаждение полупроводника до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем, вектор В индукции которого перпендикулярен поверхности образца, и дополнительно переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой, имеющим амплитуду, во много меньшую В, и вектор индукции, направленный параллельно вектору В, облучение образца СВЧ-излучением заданной частоты в направлении, параллельном вектору индукции В постоянного магнитного поля, выбор частоты излучения меньше частоты столкновений носителей заряда с атомами полупроводника, дополнительное охлаждение полупроводника до температуры ниже 2К, регистрацию сигнала, пропорционального второй производной мощности СВЧ-излучения в зависимости от магнитного поля В, измерение значения магнитного поля, соответствующего минимуму отраженного сигнала, и определение квантованного холловского сопротивления в широком диапазоне квантующих магнитных полей расчетным путем по представленной формуле. Способ позволяет расширить область применения. 2 ил.