Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ КВАНТОВАННОГО ХОЛЛОВСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Номер публикации патента: 2368982

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007142081/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/66   B82B003/00    
Аналоги изобретения: RU 2037911 С1, 19.06.1995. SU 1515115 A1, 15.10.1989. SU 1694018 A1, 30.10.1994. SU 1744736 A1, 30.06.1992. US 5789931 A, 04.08.1998. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет (RU) 
Изобретатели: Корнилович Александр Антонович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет (RU) 

Реферат


Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых наноструктур. Сущность изобретения: в способе бесконтактного определения квантованного холловского сопротивления полупроводников, включающем охлаждение полупроводника до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем, вектор В индукции которого перпендикулярен поверхности образца, и дополнительно переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой, имеющим амплитуду, во много меньшую В, и вектор индукции, направленный параллельно вектору В, облучение образца СВЧ-излучением заданной частоты в направлении, параллельном вектору индукции В постоянного магнитного поля, выбор частоты излучения меньше частоты столкновений носителей заряда с атомами полупроводника, дополнительное охлаждение полупроводника до температуры ниже 2К, регистрацию сигнала, пропорционального второй производной мощности СВЧ-излучения в зависимости от магнитного поля В, измерение значения магнитного поля, соответствующего минимуму отраженного сигнала, и определение квантованного холловского сопротивления в широком диапазоне квантующих магнитных полей расчетным путем по представленной формуле. Способ позволяет расширить область применения. 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"