SU 623439 A, 23.09.1985. SU 1584649 A1, 15.04.1991. JP 2007-027198 A, 01.02.2007. JP 58060530 A, 11.04.1983. JP 58002208 A, 07.01.1983. JP 07-106246 A, 21.04.1995.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к полной активации доноров и акцепторов при условии полного устранения остаточных дефектов. Проводят лазерный отжиг кремниевой подложки, содержащей имплантированные примесями аморфные слои толщиной 100 нм в среде водородной плазмы при температуре подогрева кремниевой подложки 600 К, или 640 К, или 645 К, или 650 К, или 655 К. Уменьшается образование точечных дефектов в кремниевых подложках.