US 7169683 B2, 30.01.2007. RU 2265255 C2, 27.11.2005. RU 2217842 C1, 27.11.2003. SU 1545845 A1, 10.11.1999. US 6410938 B1, 25.06.2002. US 5468657 A, 21.11.1995.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Попов Владимир Павлович (RU) Тысченко Ида Евгеньевна (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний на изоляторе на поверхности подложки формируют изолирующий слой и осуществляют в него имплантацию ионов слабо растворимой и легко сегрегирующей примеси реактивных газов. Условия имплантации обеспечивают концентрацию внедренной примеси, превышающую предел растворимости и приводящую при отжиге к формированию эндотаксиального слоя диэлектрика, но недостаточную для ионного синтеза преципитатов. В подложке-доноре ионной имплантацией создают ослабленную зону, выделяющую слой, переносимый на изолирующий слой положки. Затем проводят химическую обработку подложки и подложки-донора и соединяют их изолирующим слоем и слоем, переносимым на подложку, сращивают и расслаивают по ослабленной зоне с образованием на подложке отсеченного поверхностного слоя. Последующей высокотемпературной обработкой осуществляют сегрегацию имплантированной примеси к его границе раздела с отсеченным поверхностным слоем и рост на указанной границе промежуточного изолирующего слоя. За счет формирования промежуточного изолирующего слоя достигается повышение качества структур и расширение сферы применения способа. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента