Курышев Г.Л. и др. Матричные фотоприемные устройства инфра-красного диапазона. /Под. ред. С.П.Синицы. - г.Новосибирск: Наука, 2001, с.67-78. Корнюшкин Н.А.и др. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия. Физика и техника полупроводников,
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Валишева Наталья Александровна (RU) Левцова Татьяна Александровна (RU) Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) Курышев Георгий Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осуществляют анодирование, создавая тонкий слой, формирующий границу раздела полупроводник-диэлектрик, затем подложку извлекают и на тонком слое, формирующем границу раздела, выращивают слой диэлектрика, после чего осуществляют формирование затвора. В электролите фторсодержащую добавку берут в количестве, равном от 0,1 до 15 г/л. Изобретение обеспечивает повышение качества МДП-структур за счет снижения плотности поверхностных состояний до значении порядка 1010 см-2 эВ-1 и величины встроенного заряда до значений менее 1011 см-2, обусловленного образованием на межфазной границе фторидов мышьяка и индия, а также фосфата индия. 10 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента