|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЕВУЮ ПОДЛОЖКУ С ПЛЕНКОЙ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ЕЕ ПОВЕРХНОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2363067 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Dufor G. et al. SiC formation by reaction of Si (001) with acetylene: electronic structure and growth mode. Physical Review B. V.56, |
| Имя заявителя: | Фонд поддержки науки и образования (RU) | | Изобретатели: | Кукушкин Сергей Арсеньевич (RU)
Осипов Андрей Викторович (RU)
Феоктистов Николай Александрович (RU) | | Патентообладатели: | Фонд поддержки науки и образования (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, включающем нагрев подложки и синтез пленки на поверхности подложки в газовой среде, содержащей соединения углерода, в качестве газовой среды используют оксид или диоксид углерода либо смесь оксида или диоксида углерода с инертным
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента