На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА | |
Номер публикации патента: 2361320 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/425 | Аналоги изобретения: | R.I.Khaibullin et al. High Curie-temperature ferromagnetism in cobalt-implanted single-crystalline rutile. J.Phys.: Cond. Matter. 2004. Vol.16. No 41. P.L443-L449. R.I.Khaibullin et al. Formation of anisotropic ferromagnetic response in rutile (TiO2) implanted with cobalt ions. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. Sect. B. 2007. Vol.257.Iss.1-2. P.369-373. SU 1347789 A1, 15.09.1989. CN 1851866 A, 25.10.2006. CN 1607611 A, 20.04.2005. |
Имя заявителя: | Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН) (RU),Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова-Ленина" (ГОУВПО КГУ) (RU) | Изобретатели: | Хайбуллин Рустам Ильдусович (RU) Тагиров Ленар Рафгатович (RU) Базаров Валерий Вячеславович (RU) Ибрагимов Шамиль Зарифович (RU) Файзрахманов Ильдар Абулкабирович (RU) | Патентообладатели: | Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН) (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова-Ленина" (ГОУВПО КГУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения ферромагнитных полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающем введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TO2, ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температу
|