|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТКИ |  |
Номер публикации патента: 2361319 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | Лапин В.Г. и др. Мощные GaAs полевые транзисторы со смещенным затвором. 11 Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Сборник материалов конференции 10-14 сентября 2001 г. Севастополь, Украина, с.135. RU 2227344 С2, 20.04.2004. JP 54146972 А, 16.11.1979. JP 57028365 А, 16.02.1982. JP 59130479 А, 27.07.1984. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) | | Изобретатели: | Лапин Владимир Григорьевич (RU)
Петров Константин Игнатьевич (RU)
Темнов Александр Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки, выполненный на полуизолирующей подложке полупроводникового материала группы АIIIBV с активным слоем, включает изготовление по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока, канала между ними с канавкой, в которой выполнен электрод затвора типа барьер Шотки, смещенный в сторону истока.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента