|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2361318 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | RU 2189089 C2, 10.09.2002. RU 2195747 C1, 27.12.2002. RU 2209490 C1, 27.07.2003. EP 0481153 A1, 22.04.1992. US 6140679 A, 31.10.2000. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) | | Изобретатели: | Бачурин Виктор Васильевич (RU)
Пекарчук Татьяна Николаевна (RU)
Сопов Олег Вениаминович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем нитрида кремния на лицевой стороне исходной кремниевой nn+ или pp+-подложки, вскрытие окон в защитном по
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента