|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА |  |
Номер публикации патента: 2359360 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/58 | | Аналоги изобретения: | МАЗЕЛЬ Е.З., ПРЕСС Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321. RU 2005141101 А, 10.07.2007. RU 2173913 C2, 20.09.2001. SU 1674293 A1, 30.08.1991. US 4480261 A, 30.10.1984. WO 82/02457 A1, 22.07.1982. EP 0142692 A1, 29.05.1985. EP 0833384 A2, 01.04.1998. JP 58064036 A, 16.04.1983. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса последовательно напыляют в едином технологическом цикле на посадочную поверхность кремниевого кристалла три металла: хром-никель-серебро (Cr-Ni-Ag), а пайку кристаллов к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С в течение 3-5 с.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента