|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ОКИСИ ГАФНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2357320 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | Зеликман А.Н., Меерсон Г.А. Металлургия редких металлов. - М.: Металлургия, 1973, с.391-498. RU 2004134944 А, 10.05.2006. RU 2176421 C2, 20.06.2001. WO 00/29330 А1, 25.05.2000. US 6899858 В2, 31.05.2005. US 2004168627 А, 02.09.2004. JP 2005209766 А, 04.08.2005. KR 20040103821 А, 09.12.2004. KR 20050015442 А, 21.02.2005. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Саркаров Таджидин Экберович (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. Сущность изобретения: способ получения защитных пленок на основе окиси гафния включает формирование на поверхности подложки защитного слоя окиси гафния при температуре 350-400°С из газовой фазы, состоящей из тетрахлорида гафния (HfCl4), кислорода (О2) и окиси азота (NO), при мольном соотношении, соответственно равном 1:1:(2,8-3,2), и скорости газового потока 15-20 л/ч.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента