На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В РАСТВОРАХ С рН>7 | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2355065 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | RU 2008661 C1, 28.02.1994. SU 1796079 A3, 15.02.1993. SU 1518740 A1, 30.10.1989. JP 4132222 A, 06.05.1992. JP 2002159926 A, 04.06.2002. US 6908773 B2, 21.06.2005. |
Имя заявителя: | Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY) | Изобретатели: | Емельянов Виктор Андреевич (BY) Иванчиков Александр Эдуардович (BY) Кисель Анатолий Михайлович (BY) Медведева Анна Борисовна (BY) Плебанович Владимир Иванович (BY) | Патентообладатели: | Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY) |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин в растворах с рН>7 включает изготовление контрольной кремниевой пластины с измеренным электрическим поверхностным сопротивлением в легированной области, химическую очистку контрольной пластины в растворе с рН>7 и определение изменения элект
|