|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДОВ III - ГРУППЫ |  |
Номер публикации патента: 2354000 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | US 6596079 В1, 22.07.2003. RU 2208666 С1, 20.07.2003. US 4684413 А, 04.08.1987. US 4135951 А, 23.01.1979. JP 53039853 А, 12.04.1978. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) | | Изобретатели: | Колин Николай Георгиевич (RU)
Меркурисов Денис Игоревич (RU)
Бойко Владимир Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии для получения эпитаксиальных слоев нитридов III-группы. Сущность изобретения: в способе обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов III-группы путем облучения быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением, облучению подвергают эпитаксиальные слои при плотности потока нейтронов не более 1012 см-2·с-1, флюенсом =(0,5÷5,0)·1016 см-2; отжиг проводят при 800-900°С в течение 20 мин, нагрев ведут
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента