|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2351036 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | US 4975381 А, 04.12.1990. RU 2262774 С2, 20.10.2005. RU 2230392 С2, 10.06.2004. RU 2234162 С2, 10.08.2004. US 6165860 А, 26.12.2000. US 5302535 А, 12.04.1994. |
| Имя заявителя: | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU) | | Изобретатели: | Сауров Александр Николаевич (RU)
Манжа Николай Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора формируют дополнительный локальный экранирующий слой на месте будущего контакта к пассивной области базы, формируют пассивную область базы под защитой локальных экранирующих слоев, формируют третий изолирующий диэлектрик и первый слой аморфного кремния, производят их планаризацию до планарности со вторым изолирую
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента