|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2349987 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | Самсоненко Б.Н. Формирование субмикронных затворов с использованием контактной фотолитографии. - Электронная промышленность, №2, 1995, с.46-47. RU 2131631 С1, 10.06.1999. SU 1823715 А1, 20.02.1995. SU 1507131 А1, 10.04.2004. ЕР 0211353 А2, 25.02.1987. ЕР 0197838 А1, 15.10.1986. US 5288654 А, 22.02.1994. JP 61008976 А, 16.01.1986. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (RU) | | Изобретатели: | Романов Вадим Леонидович (RU)
Драгуть Максим Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки содержит формирование активных областей прибора с рабочим n и контактным n+ слоями, формирование омических контактов, нанесение первого диэлектрического слоя, формирование в нем травлением до поверхности арсенида галлия окна под затвор, заращивание окна вторым диэлектрическим сл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента