Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ МОНТАЖА КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ НА ПОКРЫТУЮ ЗОЛОТОМ ПОВЕРХНОСТЬ

Номер публикации патента: 2347297

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007119690/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/52    
Аналоги изобретения: ГОТРА З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991, с.528. RU 2212730 С2, 20.09.2003. SU 1230767 А1, 15.05.1986. US 5188982 А, 23.02.1993. US 5089439 А, 18.02.1992. US 5037778 А, 06.08.1991. ЕР 0316026 А1, 17.05.1989. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU) 
Изобретатели: Асессоров Валерий Викторович (RU)
Бражникова Тамара Ивановна (RU)
Велигура Геннадий Александрович (RU)
Кожевников Владимир Андреевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронной техники" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: в способе монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпуса с нанесенным на обратную сторону кристалла слоем, в качестве слоя на обратную сторону кристалла на


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"