|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПОЛИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2345442 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/304 | | Аналоги изобретения: | Овчаров В.Ф. и др. Подготовка пластин большого диаметра. Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1979, вып.23 (218), с.8-17. US 7118458 В2, 10.10.2006. US 5750434 А, 12.05.1998. US 2003/124850 A1, 03.07.2003. US 2006/108325 A1, 25.05.2006. WO 98/22978 A1, 28.05.1998. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Каневский Владимир Михайлович (RU)
Тихонов Евгений Олегович (RU)
Дерябин Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления круглых пластин из карбида кремния, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, полирование пластин проводится в четыре стадии: грубая полировка алмазной пастой с крупным зерном, тонкая полировка алмазной пастой с мелким зерном, нанополировка суспензией
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента