|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2344210 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B033/02 C30B029/06 H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | RU 2110115 C1, 27.04.1998. CN 1598080 A, 23.03.2005. JP 5121319 A, 18.05.1993. JP 57200294 A, 08.12.1982. NAGASAWA K. et al. A new intrinsic gettering technique using microdefects in Czochlalski silicon crystal: A new double preannealing technique. "Appl. Phys. Lett.", vol.37, N7, 1980, p.p.622-624. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU) | | Изобретатели: | Меженный Михаил Валерьевич (RU)
Мильвидский Михаил Григорьевич (RU)
Резник Владимир Яковлевич (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Сущность изобретения: способ повышения механической прочности монокристаллических бездислокационных пластин кремния с содержанием кислорода на уровне 6×1017-9×1017 см-3 осуществляют путем двухступенчатой термообработки в инертной атмосфере,
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента