|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА |  |
Номер публикации патента: 2341848 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/312 | | Аналоги изобретения: | И.В.Антонова и др. Электрическая пассивация поверхности кремния монослоями 1-октадецена. ФТП, 2007, т.41, №8, с.1010-1016. US 2003166342 А, 04.09.2003. US 6784114 В1, 31.08.2004. US 6110840 А, 29.08.2000. WO 2004/018348 А2, 04.03.2004. WO 03/096498 А2, 20.11.2003. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) | | Изобретатели: | Антонова Ирина Вениаминовна (RU)
Соотс Регина Альфредовна (RU)
Гуляев Митрофан Борисович (RU)
Принц Виктор Яковлевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1-алкена, в частности, 1-октадецена.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента