|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2337429 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | RU 2105380 C1, 20.02.1998. RU 2186887 C2, 10.08.2002. Нашельский А.Я. Технология специальных материалов электронной техники. 1993, с.241-242. Овчаров В.Ф. и др. Подготовка пластин большого диаметра. Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ Электроника, 1979, вып. 23 (218) с.8-17. US 5007204 А, 16.04.1991. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Ковальчук Михаил Валентинович (RU)
Каневский Владимир Михайлович (RU)
Тихонов Евгений Олегович (RU)
Дерябин Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира. Сущность изобретения: в способе изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски п
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента