|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2333567 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | K.Kitahara et all. «Submicron-scale characterization of poly-Si thin films crystallized by excimer laser and continuous-wave laser». Journal of Applied Physics, vol.95, (2004) pp.7850-7855. RU 2084987 C1, 20.07.1997. RU 2098886 C1, 10.12.1997. SU 1422957 A1, 15.10.1993. JP 7326575 A, 12.12.1995. US 5796150 A, 18.08.1998. US 2005/0142708 A1, 30.06.2005. |
| Имя заявителя: | Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU) | | Изобретатели: | Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU) | | Патентообладатели: | Миловзоров Дмитрий Евгеньевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов и солнечных элементов, может быть использовано в разработке тонкопленочных транзисторов, а также других приборов типа кремний на диэлектрике и кремниевых интегральных микросхем на стекле и подложках из полимерных соединений. Сущность изобретения: в способе изготовления тонких кристаллических пленок кремния с толщинами менее 100 нм на стекле для полупроводниковых приборов, включающем очистку в вакууме подложки стекла слабоионизованной пл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента