|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МЕТОД ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОЙ БИКМОП СТРУКТУРЫ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ |  |
Номер публикации патента: 2329567 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8248 | | Аналоги изобретения: | RU 2141149 C1, 10.11.1999. RU 2106719 C1, 10.03.1998. RU 2208265 C2, 10.07.2003. US 6984872 B2, 10.01.2006. US 5455189 А, 03.10.1995. ЕР 1128422 A1, 29.08.2001. EP 1006573 A1, 07.06.2000. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU) | | Изобретатели: | Адамов Юрий Федорович (RU)
Горшкова Наталья Михайловна (RU)
Крупкина Татьяна Юрьевна (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве БиКМОП структур для многоэлементных фотоприемников и радиосхем, использующих базовую технологию КМОП приборов. Эффект от использования способа заключается в повышении качества структуры биполярного транзистора - сохранении высокой эффективности эмиттера и коэффициента усиления по току при уменьшении ширины эмиттера до субмикронных размеров, а также в «сокращении» маршрута изготовления, предусматривающем умен
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента