|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИПОДНЯТЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ |  |
Номер публикации патента: 2329566 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 | | Аналоги изобретения: | US 4998150 А, 05.03.1991. US 6063676 А, 16.05.2000. US 6417054 B1, 09.07.2002. RU 2185686 C2, 20.07.2002. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) | | Изобретатели: | Манжа Николай Михайлович (RU)
Сауров Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления МОП и биполярных транзисторов в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП транзисторов с приподнятыми электродами после вскрытия окон под сток-истоковые области и формирования разделительного диэлектрика на стенках окон, формируют на стенках окон аморфный кремний, монокристаллические электроды в сток-истоковых окнах формируются методом гидридной эпитаксии, в результате которой в окнах, вскрытых до монокристаллического к
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента