|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК НИТРИДА КРЕМНИЯ (Si |  |
Номер публикации патента: 2325001 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/318 | | Аналоги изобретения: | US 5629043 А, 13.05.1997. SU 1718302 A1, 07.03.1992. SU 1225431 A1, 20.11.1999. US 2001/0012701 A1, 09.08.2001. JP 54065479 A, 26.05.1979. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4). Сущность изобретения: в способе получения пленок нитрида кремния из газовой смеси, в состав которой входят дихлорсилан (SiH2Cl2) и аммиак (NH3), подложки подвергают обработке в газовой смеси при температуре, равной 750°С, в течение 20 минут и при соотношении компонентов: SiH2Cl2:NH2=10 л/ч : 20 л/ч.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента