|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ КМОП - СХЕМ НА КНИ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2320049 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 | | Аналоги изобретения: | US 5795813 А, 18.08.1998. RU 2137252 C1, 10.09.1999. RU 2189089 C2, 10.09.2002. SU 849928 A, 07.10.1982. US 4748131 A, 31.05.1988. US 6268630 B1, 31.07.2001. |
| Имя заявителя: | ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/ (RU) | | Изобретатели: | Кузнецов Евгений Васильевич (RU)
Рыбачек Елена Николаевна (RU)
Сауров Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/ (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. Сущность изобретения: способ увеличения радиационной стойкости элементов КМОП-схем на КНИ подложке включает создание на КНИ подложке рабочих и изолирующих областей схемы, легирование рабочих областей кремния путем ионной имплантации бора, имплантацию ионами фтора границы кремний - скрытый окисел дозой от 1012 до 1014 ион/см2, химическую очистку поверхности, форми
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента