На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АТОМНО - ГЛАДКОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | |
Номер публикации патента: 2319798 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B033/10 C30B033/02 C30B029/42 H01L021/302 | Аналоги изобретения: | Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. /Под ред. Б.Д.Луфт. - М.: Радио и связь, 1982, с.40, 50-52, 62-63. JP 60196951 А, 05.10.1985. НАШЕЛЬСКИЙ А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. - М.: Металлургия, 1993, с.265-268. |
Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (RU) | Изобретатели: | Безрядин Николай Николаевич (RU) Котов Геннадий Иванович (RU) Стародубцев Александр Александрович (RU) Стрыгин Владимир Дмитриевич (RU) Арсентьев Иван Никитич (RU) | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. Способ включает химико-динамическую полировку поверхности подложки в полирующем травителе, содержащем серную кислоту, перекись водорода и воду в течение 8÷10 мин, снятие слоя естественного оксида в водном растворе соляной кислоты до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки, промывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге.
|