|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ НИТРИДНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2316075 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | RU 2132890 C1, 10.07.1997. RU 2187172 C1, 10.08.2002. US 6391748 A, 21.05.2002. US 5278433 A, 11.01.1994. US 5602418 A, 11.02.1997. US 6599361 B2, 29.07.2003. JP 2081482 А, 22.03.1990. ЕР 1039555 A1, 27.09.2000. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) | | Изобретатели: | Алексеев Алексей Николаевич (RU)
Погорельский Юрий Васильевич (RU)
Петров Станислав Игоревич (RU)
Красовицкий Дмитрий Михайлович (RU)
Чалый Виктор Петрович (RU)
Шкурко Алексей Петрович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания нитридных полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении различных оптических и электронных приборов и устройств. В способе выращивания многослойной нитридной полупроводниковой гетероструктуры, содержащей подложку с темплетным слоем и вышележащими полупроводниковыми слоями, включающем нагрев подложки, нитридизацию поверхностного слоя подложки путем подачи потока аммиака на пове
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента