|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ИС |  |
Номер публикации патента: 2308119 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 | | Аналоги изобретения: | RU 2099817 C1, 20.12.1997. RU 2029414 C1, 20.02.1995. RU 2056673 C1, 20.03.1996. RU 2051443 C1, 27.12.1995. RU 1759185 С, 09.01.1995. US 6156591 А, 05.12.2000. US 4918510 А, 17.04.1990. |
| Имя заявителя: | Зеленцов Александр Владимирович (RU),Поварницына Зоя Мстиславовна (RU),Сельков Евгений Степанович (RU),Ходжаев Валерий Джураевич (RU),Черный Анатолий Иванович (RU),Яромский Валерий Петрович (RU) | | Изобретатели: | Зеленцов Александр Владимирович (RU)
Поварницына Зоя Мстиславовна (RU)
Сельков Евгений Степанович (RU)
Ходжаев Валерий Джураевич (RU)
Черный Анатолий Иванович (RU)
Яромский Валерий Петрович (RU) | | Патентообладатели: | Зеленцов Александр Владимирович (RU)
Поварницына Зоя Мстиславовна (RU)
Сельков Евгений Степанович (RU)
Ходжаев Валерий Джураевич (RU)
Черный Анатолий Иванович (RU)
Яромский Валерий Петрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей другого типа прово
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента