|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИМПУЛЬСНО - ЛАЗЕРНОГО ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МАТЕРИАЛОВ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ |  |
Номер публикации патента: 2306631 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | US 6531368 B1, 11.03.2003. US 6632729 B1, 14.10.2003. US 6780789 В1, 24.08.2004. US 6783591 B1, 31.08.2004. US 6489632 B1, 03.12.2002. KR 100340905 В, 03.06.2002. CN 1471138, 28.01.2004. RU 2059322 С1, 27.04.1996. RU 2117071 С1, 10.08.1998. SU 646578 А, 30.01.1986. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИМ им. Л.Я. Карпова) (RU),САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Варакин Владимир Николаевич (RU)
Кабанов Сергей Петрович (RU)
Симонов Александр Павлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИМ им. Л.Я. Карпова) (RU)
САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко.
Лтд. (KR) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе импульсно-лазерного получения тонких пленок материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (ВДП) для подзатворного изолятора в сверхбыстрых металл-оксид-полупроводниковых (МОП)-транзисторах, состоящем в предварительной подготовке подложки из монокристаллического кремния, формировании тонкой пленки из материалов с ВДП на основе оксидов металлов путем импульсного лазерного воздействия на мише
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента