|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2303316 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | SU 1424634 A1, 20.04.2000. RU 2119211 С1, 20.09.1998. DE 3117202 A, 18.11.1982. |
| Имя заявителя: | Томский политехнический университет - государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования (RU) | | Изобретатели: | Градобоев Александр Васильевич (RU)
Рубанов Павел Владимирович (RU)
Ащеулов Александр Васильевич (RU)
Матвеев Валерий Семенович (RU) | | Патентообладатели: | Томский политехнический университет - государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Способ изготовления приборов на основе арсенида галлия включает формирование контактов, фотолитографию, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионную сборку в корпус.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента