|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2303314 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/18 | | Аналоги изобретения: | SU 1800501 A1, 07.03.1993. SU 1424634 A1, 20.04.2000. SU 847839 A1, 20.06.2000. RU 2097874 С1, 27.11.1997. RU 2012091 C1, 30.04.1994. EP 0365857 A2, 02.05.1990. |
| Имя заявителя: | Томский политехнический университет (RU) | | Изобретатели: | Градобоев Александр Васильевич (RU)
Рубанов Павел Владимирович (RU)
Ащеулов Александр Васильевич (RU) | | Патентообладатели: | Томский политехнический университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Способ позволяет изготовить приборы с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, после изготовлени
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента