|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ТРАНЗИСТОРА НА СТРУКТУРЕ КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ |  |
Номер публикации патента: 2298856 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | US 3958266 А, 18.05.1976. JP 5326554 А, 10.12.1993. JP 61104671 А, 22.05.1986. JP 6314785 А, 08.11.1994. US 6541821 В1, 01.04.2003. RU 2175460 C2, 27.10.2001. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU) | | Изобретатели: | Адонин Алексей Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении интегральных схем на базе структур "кремний на сапфире" (КНС). Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-транзистора на структуре кремний на сапфире, включающем создание на подложке из сапфира островка слоя кремния собственной проводимости, формирование в нем канала транзистора путем легирования островка кремния примесью, соответствующей типу канала, с последующим созданием подзатворного диэлектрика
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента