На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ | |
Номер публикации патента: 2298251 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/365 | Аналоги изобретения: | A.LOPEZ-OTERO, L.D.HAAS. High mobility as-grown PbTe films prepared by the hot wall technique. Thin solid films. V.23 (1974), pp1-6. RU 2156519 C2, 20.09.2000. RU 2103765 C1, 27.01.1998. JP 9289217 А, 04.11.1997. US 4357620 А, 02.11.1982. |
Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (RU) | Изобретатели: | Головин Сергей Вадимович (RU) Бурлаков Игорь Дмитриевич (RU) | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы. Сущность изобретения: в способе получения тонких пленок теллурида кадмия в вертикально расположенном реакторе типа «горячая стенка» в нижней части размещают источник теллурида кадмия, над ним на расстоянии не менее 10 диаметров реактора - подложку теллурида кадмия-ртути, присоединяют реактор к вакуумной откачной системе 10-3 Па и нагревают его таким образом, что температура источника составляет 500°
|