|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2292607 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | RU 2176422 C2, 27.11.2001. RU 2198451 С2, 10.02.2003. US 6046109 A, 04.04.2000. US 5037774 A, 06.08.1991. JP 6349764 A, 22.12.1994. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Кармоков Ахмед Мацович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Мустафаев Гасан Абакарович (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение механических напряжений в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой структуры включает формирование на полупроводниковой подложке изолирующей пленки, формирование на изолирующей пленке тонкой полупроводниковой пленки.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента