|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕПЛАНАРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2290717 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | US 6211042 B1, 03.04.2001. RU 2053585 C1, 27.01.1996. RU 2173916 C1, 20.09.2001. RU 2163105 C1, 20.02.2001. WO 02/052653 A1, 04.07.2002. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU),ФГУП "ГИРЕДМЕТ" (RU) | | Изобретатели: | Кожитов Лев Васильевич (RU)
Митин Владимир Васильевич (RU)
Кондратенко Тимофей Тимофеевич (RU)
Чинаров Вячеслав Викторович (RU)
Гришко Анатолий Сергеевич (RU)
Симонова Татьяна Владимировна (RU)
Крапухин Всеволод Валерьевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU)
ФГУП "ГИРЕДМЕТ" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии изготовления приборов микро- и силовой электроники с непланарной структурой. Техническим результатом изобретений является обеспечение возможности формирования непланарных эпитаксиальных структур кремния с однородным распределением электрофизических и структурных параметров: толщины слоя, удельного сопротивления, времени жизни носителей заряда и плотности дислокации по различным кристаллографическим направлениям.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента