|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СВЧ |  |
Номер публикации патента: 2285976 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | Handbook of Microwave and Optical Component. Vol.2, 1990. Fabrication process. P.518-523. RU 2017271 C1, 30.07.1994. RU 2022399 C1, 30.10.1994. RU 2102817 C1, 20.01.1998. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) | | Изобретатели: | Красник Валерий Анатольевич (RU)
Снегирев Владислав Петрович (RU)
Земляков Валерий Евгеньевич (RU)
Антонова Нина Евгеньевна (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов, напылении металлов, нанесении и травлении диэлектриков, гальванического осаждения золота, формировании канавок на лицевой стороне пластины вне топологии транзисторов для задания размера кристаллов транзисторов, ут
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента