|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2284611 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | RU 2096865 С1, 20.11.1997. RU 2071145 C1, 27.12.1996. US 6693298 В2, 17.02.2004. WO 03/046992 A1, 05.06.2003. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Кармоков Ахмед Мацович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Мустафаев Гасан Абакарович (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является снижение токов утечки в полупроводниковых приборах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора на поверхности изолирующей подложки до процесса эпитаксиального выращивания кремниевой полупроводниковой пленки формируют слой двуокиси кре
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента