|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2284610 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | RU 2169411 C1, 20.06.2001. RU 2086043 C1, 27.07.1997. DE 10012866 A1, 27.09.2001. US 4432008 A, 14.02.1984. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU) | | Изобретатели: | Асина Светлана Степановна (RU)
Комыса Нина Георгиевна (RU) | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных высокотемпературных кремниевых резисторов, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах ±10%, повышение его номинальной мощности и с
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента