|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЗОПРОНИЦАЕМОЙ МЕМБРАНЫ И ГАЗОПРОНИЦАЕМАЯ МЕМБРАНА |  |
Номер публикации патента: 2283691 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B01D067/00 B01D071/02 H01L021/3063 C25F003/12 | | Аналоги изобретения: | WO 9905344 A1, 04.02.1999. RU 2099813 C1, 20.12.1997. US 4952446 A, 28.08.1990. JP 58185800 A1, 29.10.1983. JP 61253829 A1, 11.11.1986. US 6284670 B1, 04.09.2001. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, под ред. Б.Д.Луфт., М., "Радио и связь", 1982, с.6, 7, 119-121. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) | | Изобретатели: | Бобыль Александр Васильевич (RU)
Ермилова Маргарита Мейеровна (RU)
Конников Семён Григорьевич (RU)
Орехова Наталия Всеволодовна (RU)
Саксеев Дмитрий Андреевич (RU)
Терещенко Геннадий Фёдорович (RU)
Улин Владимир Петрович (RU) | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения АIIIBV n-типа проводимости или из полупроводника АIV с шириной запрещенной зоны Е1,0 эВ и уровнем легирования 1017-1020 1/см3.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента