|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2281582 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | RU 2137253 C1, 10.09.1999. RU 2134467 C1, 10.08.1999. RU 2176422 C1, 27.11.2001. US 5426061 А, 20.01.1995. |
| Имя заявителя: | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по атомной энергии (RU),Федеральное Государственное Унитарное предприятие научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова (RU) | | Изобретатели: | Смолин Валентин Константинович (RU)
Скупов Владимир Дмитриевич (RU) | | Патентообладатели: | Российская Федерация
от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по атомной энергии (RU)
Федеральное Государственное Унитарное предприятие научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации микродефектов в полупроводниковых структурах.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента