|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ |  |
Номер публикации патента: 2279154 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/461 | | Аналоги изобретения: | INVOUE M, et al. Etch Pits and Polarity in CdTe Crystals. Journal of Applied Physics, 1962, 33(№7), 2578-2582. JP 63062237 А, 18.03.1988. JP 9067200 А, 11.03.1997. ЕР 1022772 A1, 26.07.2000. SU 672185 А, 08.07.1979. |
| Имя заявителя: | ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU) | | Изобретатели: | Колесников Николай Николаевич (RU)
Кведер Виталий Владимирович (RU)
Борисенко Елена Борисовна (RU)
Борисенко Дмитрий Николаевич (RU)
Гартман Валентина Кирилловна (RU) | | Патентообладатели: | ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU) |
Реферат | |
Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из этой керамики.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента