

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СЕЛЕКТИВНЫЙ ТРАВИТЕЛЬ СЛОЕВ AlAs, AlGaAs ОТНОСИТЕЛЬНО GaAs

Номер публикации патента: 2276427

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2004130980/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01L021/306
Аналоги изобретения:	Wai Shing Lau et al. The Development of a Highly Selective KI/H

Имя заявителя:	Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU),Соотс Регина Альфредовна (RU),Принц Виктор Яковлевич (RU)
Изобретатели:	Соотс Регина Альфредовна (RU) Принц Виктор Яковлевич (RU)
Патентообладатели:	Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) Соотс Регина Альфредовна (RU) Принц Виктор Яковлевич (RU)

Реферат

Использование: в технологии изготовления приборов микро-, наноэлектроники и наноэлектромеханики. Сущность изобретения: селективный травитель слоев AlAs, AlGaAs относительно GaAs содержит иод (I2), органический растворитель, в котором растворен иод (I2), причем указанные компоненты взяты в следующем соотношении, мас.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"