|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2275712 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | RU 2100872 C1, 27.12.1997. RU 2100871 C1, 27.12.1997. JP 2001358147 А, 26.12.2001. ЕР 0780891 В1, 25.06.1997. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Кумахов Адиль Мухадинович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Использование: технология производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения: повышение выходной мощности, технологической воспроизводимости, расширение диапазона работы, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность: сформированные полупроводниковые приборы на конечной стадии их изготовления обрабатывают высокоэнергетичными электронами дозой 8·1014 - 6·1015 см2 с энергией 4 МэВ с последующим отжигом при температуре 150-200°С в течение н
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента