|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГАЗОФАЗНОГО НАРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2275711 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | RU 2231861 C1, 27.06.2004. SU 427557 A, 30.11.1983. US 3885061 A, 20.05.1975. WO 99/00829 A1, 07.01.1999. |
| Имя заявителя: | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) | | Изобретатели: | Зиновьев Дмитрий Валерьевич (RU)
Тузовский Константин Анатольевич (RU) | | Патентообладатели: | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU) |
Реферат | |
Использование: в кремниевой технологии для получения структур полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния в каждом ряду подложек создают температурный градиент, при котором верхняя часть подложек каждого ряда нагрета на 10 К меньше, чем нижняя, рост ведется при температуре, на 10-20 К меньшей, чем температура предварительного травления и отжига, причем в начале процесса наращивания эпитаксиального слоя кремния производится цикл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента