|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2265255 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | RU 2164719 C1, 27.03.2001. DE 19753494 A1, 01.10.1998. US 5256581 A, 26.10.1993. US 5374564 A, 20.12.1994. US 6306730 В2, 23.10.2001. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (RU) | | Изобретатели: | Антонова И.В. (RU)
Дудченко Н.В. (RU)
Николаев Д.В. (RU)
Попов В.П. (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для создания современных материалов микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является устранение преципитатов кислорода в КНИ структурах. Сущность изобретения: в способе получения структур кремний-на-изоляторе в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, затем проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, затем пластину кремния соединяют с подложкой, сращивают и расслаивают по имплант
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента