

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОЙ ВТСП - СХЕМЫ

Номер публикации патента: 2262152

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2003135900/09

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01L021/02 H01L021/428 H01L021/477 H01L021/64 H05K003/00
Аналоги изобретения:	RU 2206145 C1, 10.06.2003. RU 2035802 C1, 20.05.1995. DE 3246480 A1, 20.06.1984. US 4257827 A, 24.03.1981. ЕР 0665560 A1, 02.08.1995.

Имя заявителя:	Марийский государственный университет (RU)
Изобретатели:	Буев А.Р. (RU) Игумнов В.Н. (RU) Иванов В.В. (RU)
Патентообладатели:	Марийский государственный университет (RU)

Реферат

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной стадии обжига лазерным уплотнением поверхности.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"