|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2256980 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | US 4889829 А, 26.12.1989. JP 1291445 А, 24.11.1989. SU 1384106 А2, 10.11.1995. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев А.Г. (RU)
Кумахов А.М. (RU)
Мустафаев А.Г. (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет (RU) |
Реферат | |
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности пор в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность: после формирования изолирующей пленки на поверхности полупроводниковой подложки подвергают их обработке высокоэнергетичными электронами дозой 2·1014-8·1016 см-2 с энергией 4 МэВ, с последующим отжигом при темпер
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента