|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА НА ДИЭЛЕКТРИКЕ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2248069 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | US 5374564 А, 20.12.1994. RU 2164719 С1, 27.03.2001. DE 19753494 А1, 01.10.1998. US 6323109 В1, 27.11.2001. US 6306730 А2, 23.10.2001. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Горнев Е.С. (RU)
Громов Д.Г. (RU)
Дракин К.А. (RU)
Евдокимов В.Л. (RU)
Гаврилов С.А. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Мочалов А.И. (RU)
Сулимин А.Д. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Технический результат - повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента